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IRF7452
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
20
I D = 2.7A
10000
C iss = C gs + Cgd ,
SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
C ds
16
V DS = 80V
V DS = 50V
V DS = 20V
12
1000
Ciss
Coss
8
100
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
10
0
SEE FIGURE 13
1
10
100
0
10
20
30
40
50
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
10
10us
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
10
1
100us
1ms
10ms
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
V GS = 0 V
1.0 1.2
0.1
1
T A = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
10
100
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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